四探针法是一种轻便的丈量电阻率的步骤。
四探针法丈量电阻率有个极度大的利益:它不必要较准,有时用其它步骤丈量电阻率时还会使用四探针法较准。

一·四探针法测电阻道理介绍:
分歧的资料的电阻有分歧的推算公式
★检测通常的线性资料
我们时时用电阻来表征某一段传输电流的能力,其满足以下关系式:

图1
其中ρ→资料自身的电阻率,Ⅰ→资料自身的长度,s→资料自身横截面积
对于某种资料ρ满足关系式:

图2
其中ne→电子浓度,nh→空穴浓度,μn→电子迁徙率,μh→空穴迁徙率,q→根基电荷量
★检测拥有肯定导电机能的薄膜资料
拥有肯定导电机能的薄膜资料沿着平面方向的电荷传输机能通常用方块电阻来暗示,对于边长为l、厚度为xj方形薄膜,其方块电阻可暗示为:

图3
即方块电阻与电阻率ρ成正比,与膜层厚度xj 成反比,而与正方形边长l无关。
方块电阻通常选取双电测电四探针来丈量,丈量装置如图4所示,四根由钨丝造成的探针等间距地排成直线,彼此相距为s (通常为几个mm)。
丈量时将针尖压在薄膜样品的表表上,名义两根探针通电流Ⅰ(通常拔取0.5-2mA ),里面的两探针用来丈量电压v,通常利用电位差计丈量。

图4 双电测电四探针丈量薄膜方块电阻结构简图
当被测样品的长度和宽度远弘远于探针间距,薄膜方块电阻具体表白式为:

图5
即薄膜的方块电阻和表侧探针通电流后在内探针处产生的电位差大幼有关。
若是样品的线度相对探针间距大不多时,上式中的系数c必须加以适当的建改,建改值与被测样品的状态和大幼有关。
C=4.53(样品长宽 ≥ 40 s,厚度 ≤ 0.4 s,绝缘衬底)
二·四探针法测见问题
Q1:四探针法钼铜合金电阻率未测出了局?
超出设备测试量程,四探针设备的量程是10-5至105Ω·cm,所以有好多样品在测试的时辰会出现超量程的情况。
Q2:四探针电阻率测试仪跟粉末电阻率测试仪是一样的吗?
道理是一样的,但是不是统一个设备,粉末电阻率也是用四探针测试的,只是粉末样品直接加压测试,不必要提前压片。
Q3:四探针测试样品没罕见据是为什么?
大无数原因是阻值超量程了,导体通常是没问题的。
Q4:电阻率数值的保留幼数位数时,幼数位数不一致,是设备默认的么,整数的是否是四舍五入过的呢?
设备预设的改不了,若是对幼数位数有要求,必要备注明显,教员这边会手动用公式换算保留同样幼数位数,但是个别数据会与仪器推算的有差距。
Q5:四探针电阻率测试,10*12 mm的尺寸能够吗?(样品的尺寸要求是什么?)
能够,样品多多数没问题。
Q6:粉末电阻率测试步骤是什么?
也是四探针法,直接粉末进样后,自动压片测试。
四探针法凭借无需校准、操作轻便、适应面广的优势,已成为尝试室与出产线急剧评价资料导电机能的“标尺”。
未来,随着薄膜器件、柔性电子与能源资料的微纳化,四探针技术也必将向更高动态领域、更智能建改、更原位表征的方向升级。
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