在半导体行业中，硅单晶的电阻率是衡量其机能的关键指标。硅单晶电阻率的通例测试步骤，蕴含接触法和无接触法两大类。

接触法：直接且靠得住的电阻率丈量

接触法是通过直接接触样品表表来丈量电阻率的步骤。重要蕴含以下几种：

两探针法：合用于低电阻率样品。通过两个接触探针丈量电流和电压，推算电阻率。但这种步骤对高电阻率样品可能不够正确。

四探针法：合用于分歧状态和尺寸的硅样品。使用四个接触探针，通过丈量样品上的电流和电压来推算电阻率，是丈量资料电阻率的常用步骤。

扩大电阻法：合用于已知晶体晶向和导电类型的硅片。通过丈量沉复形成的点接触的扩大电阻，再利用校准曲线确定电阻率。

范德堡法（van der Pauw）：合用于肆意状态的二维样品，可能精确丈量样品的电阻率和霍尔系数。

Hall效应丈量：通过施加表部磁场，丈量垂直于电流方向和磁场方向的霍尔电势，从而推算得到电阻率和载流子浓度。

无接触法：非侵入式的电阻率丈量

无接触法是通过非接触方式丈量电阻率的步骤。重要蕴含以下几种：

涡流法：基于法拉第电磁感应道理，通过在导体表表产生交变磁场，利用涡流在导体内部产生的感应电磁场来揣度导体的电阻率。

C-V法：宽泛用于丈量半导体参数，尤其是MOS CAP和MOSFET结构Ｄ芄蝗范ǘ氧化硅层厚度、衬底掺杂浓度等参数。

选择相宜的丈量步骤

分歧的测试步骤有其特定的合用领域和优弊端。在现实操作中，应凭据具体的测试需要和前提选择相宜的步骤。例如，对于高电阻率样品，可能必要选取四探针法或范德堡法；对于非接触式丈量，涡流法或C-V法可能是更好的选择。

在进行硅单晶电阻率测试时，建议参考国度尺度GB/T 1551-2021。

无论是接触法还是无接触法，每种步骤都有其怪异的利用场景和优势。15VIP太阳集团官网提供的四探针测试仪SZT-2C等产品，正是基于这些丈量道理，为用户提供精确、靠得住的电阻率丈量解决规划。