在探求四探针测试电阻的道理时，我们发现这种步骤在表征金属、半导体等低电阻率资料的方阻、电阻率、电导率等方面拥有宽泛利用。

其主题在于使用四根等间距分列的探针，其中表侧两个探针掌管传输电流，内侧两个探针则用于丈量电压。

通过恒流源输出电流 I，流经样品后通过探针 4 流出，形成电流回路。同时，探针 2 和 3 衔接电压表，丈量探针两端的电压，形成电压回路。

这种步骤奇妙地通过电流激励和电压丈量不共用探针，而是由各自的一对探针形成回路，有效躲避了导线电阻、探针电阻以及探针与资料的接触电阻的影响，因而相较于两探针法，丈量精度更高，合用领域更广。

在丈量薄圆片（厚度≤4mm）电阻率时，四探针法的推算公式为：ρ=V/I×F（D/S）×F（W/S）×W×Fsp，其中 D 为样品直径，S 为均匀探针间距，W 为样品厚度，Fsp 为探针间距建改系数，F（W/S）为样品厚度建改因子，I 为 1、4 探针流过的电流值，V 为 2、3 探针间取出的电压值。

四探针法相较于两探针法，在丈量半导体电阻时拥有显著优势。

两探针法多用于大电阻和精度要求不高的情况，而对于幼电阻丈量，尤其是半导体电阻丈量，由于金属与半导体资料之间功函数的差距会形成肯定厚度的耗尽层，导致测到的电阻值远高于半导体现实的电阻值。

而四探针法令通过预防电流源和电压表共用探针，降低了附加电阻的影响，提高了丈量的精度和正确性。

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