常用的接触式丈量半导体资料电阻率的步骤重要有这几种：

两探针法；三探针法；四探针法；单探针扩大电阻法；范德堡法。

两探针法。这种步骤合用于长条形或棒状试样，通过丈量电压和电流来推算电阻率。其道理单一，操作方便，但受限于样品状态和尺寸。

三探针法，它合用于丈量一样导电类型、低阻衬底的表延层资料。利用金属探针与半导体接触处的反向电流和电压个性，能够正确测定资料电阻率。这种步骤在钻研表延层个性时尤为沉要。

四探针法是另一种常用的丈量步骤，出格合用于样品沿径向散布的断面电阻率。通过在样品表表搁置四根探针，丈量电压来推算电阻率。这种步骤在半导体资料表征和器件造作中有着宽泛的利用。

单探针扩大电阻法是一种合用于丈量体资料的微区均匀性及表延资料、多层结构或扩大层等资料的电阻率或电阻率散布的步骤。它通过单个探针与样品接触，通过扭转探针地位来获得分歧地位的电阻率信息。

范德堡法，合用于厚度均匀、无孤立孔洞的片状样品。通过在样品边缘取四个接触点来丈量电阻率。这种步骤在丈量薄片资料的电阻率时极度有效。

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